A、Q235
B、45
C、60Si2Mn
D、T12
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A、0.02%
B、0.77%
C、2.11%
D、4.3%
A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
A、淬火+低溫回火
B、滲碳后淬火+低溫回火
C、調(diào)質(zhì)后表面淬火
D、正火
A、低碳低合金鋼
B、中碳低合金鋼
C、高碳低合金鋼
D、低碳中合金鋼
A、調(diào)質(zhì)
B、淬火+低溫回火
C、滲碳
D、滲碳后淬火+低溫回火
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
可用作硅片的研磨材料是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。