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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列是晶體的是（）。 

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。