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對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列是晶體的是（）。 

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

PN結(jié)的基本特性是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

硅片拋光在原理上不可分為（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。