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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列是晶體的是（）。 

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）