單項選擇題以下哪個不屬于原位軸壓法的缺點()。
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸等特點,具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數修正,誤差較大
C.壓力表讀數量程偏小,實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結構檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砂漿回彈法不適用于砂漿強度小于()的墻體,水平灰縫表面粗糙且難以磨平時,不得采用。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
2.單項選擇題推出法不宜用于當水平灰縫的砂漿飽滿度低于()的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
3.單項選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側的墻體寬度不應小于(),且應為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
4.單項選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于()KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
5.單項選擇題原位軸壓法僅限用于()厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
最新試題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題