單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)小于（），且應(yīng)為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
3.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
4.單項(xiàng)選擇題對既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點(diǎn)數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題