單項選擇題砌體結構所選用檢測方法和在墻體上選定測點，（）測點可以位于門窗洞口處。
A.燒結磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
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1.單項選擇題燒結磚回彈法檢測普通磚和燒結多孔磚強度適用范圍限于（）。
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
2.單項選擇題砂漿片局壓法檢測水泥石灰砂漿強度時砂漿強度范圍限于（）。
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
3.單項選擇題以下哪個不屬于原位軸壓法的缺點（）。
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸?shù)忍攸c，具有一定的優(yōu)越性，但采用手動加荷，加荷速度和加荷量不易控制，會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數(shù)修正，誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小，實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等，存在明顯不足，尚有待有志工程結構檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
4.單項選擇題砂漿回彈法不適用于砂漿強度小于（）的墻體，水平灰縫表面粗糙且難以磨平時，不得采用。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
5.單項選擇題推出法不宜用于當水平灰縫的砂漿飽滿度低于（）的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題