A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
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A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸?shù)忍攸c,具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
A.300
B.350
C.400
D.450
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
改良西門子法的顯著特點不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()