A.切割機的鋸切深度不應小于240mm
B.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機的鋸切深度不應小于370mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
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A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
A.每級荷載可取預估破壞荷載的10%
B.應在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C.加荷至預估破壞荷載的80%后,應按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D.加荷至預估破壞荷載的90%后,應按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
A.4
B.5
C.6
D.7
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
硅片拋光在原理上不可分為()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()