單項選擇題當宏觀檢測墻體的砌筑質量差或砌筑砂漿強度等級低于（）時，不宜選用切制抗壓試件法。
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
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1.單項選擇題扁頂法測試砌體受壓彈性模量時，累計加荷的應力上限不應大于槽間砌體極限抗壓強度的（）。
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
2.單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測時，原位軸壓法試驗正式測試時，應分級加載，以下說法不正確的是（）。
A.每級荷載可取預估破壞荷載的10%
B.應在1min~1.5mim內均勻加完，然后恒載2min
C.加荷至預估破壞荷載的80%后，應按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D.加荷至預估破壞荷載的90%后，應按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
3.單項選擇題扁頂法實測墻體的受壓彈性模量時，在完成墻體的受壓工作應力測試后，當選用250³250mm扁頂時，開鑿第二水平槽普通磚砌體兩槽之間的距離應相隔（）磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
4.單項選擇題扁頂法正式測試時，應分級加荷，每級荷載應為預估破壞荷載的（）。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
5.單項選擇題扁頂法正式測試前，應取預估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
最新試題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
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改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題