A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
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A.每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B.應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完，然后恒載2min
C.加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
D.加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后，應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷，直至槽間砌體破壞
A.4
B.5
C.6
D.7
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）