A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
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A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
A.試件搬運(yùn)過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng)，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長(zhǎng)距離運(yùn)輸試件時(shí)，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。