A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
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A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應(yīng)測量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測試工作
D.開槽時不應(yīng)操作測點(diǎn)部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）