A.試件搬運(yùn)過(guò)程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng)，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長(zhǎng)距離運(yùn)輸試件時(shí)，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
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A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測(cè)量砌體變形的初讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測(cè)量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測(cè)試工作
D.開(kāi)槽時(shí)不應(yīng)操作測(cè)點(diǎn)部位的墻體及變形測(cè)量腳標(biāo)
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。