A.測試時(shí)，應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開鑿好的孔洞中，并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過長時(shí)，在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀，應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對位移，試件達(dá)到破壞狀態(tài)
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A.0.01
B.0.05
C.0.1
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A.5mm
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C.15mm
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A.2次
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C.4次
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A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）