A.2
B.3
C.4
D.5
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A.測(cè)試時(shí),應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開鑿好的孔洞中,并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過長(zhǎng)時(shí),在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀,應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對(duì)位移,試件達(dá)到破壞狀態(tài)
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()