單項選擇題砌筑基礎前，應校核防線尺寸，長度L或寬度B≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
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1.單項選擇題各種檢測強度的最終計算或推定結果，砌體的抗壓強度和抗剪強度均應精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
2.單項選擇題檢測數據中的歧離值和統計離群值，應按《GB/T4883》中有關檢驗法檢出和剔除，檢出水平a應取（）。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
3.單項選擇題燒結磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應小于（），每一彈擊點應只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項選擇題燒結磚回彈法在每塊磚的側面上應均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
5.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結果綜合反映了材料質量和施工質量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強
D.設備較輕
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。
題型：單項選擇題