A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測(cè)部位局部破損
C.直觀性，可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
A.塊材強(qiáng)度
B.砂漿強(qiáng)度
C.抹灰強(qiáng)度
D.砌體強(qiáng)度
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
PN結(jié)的基本特性是（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）