A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時(shí)，容易測(cè)出抗壓強(qiáng)度
D.檢測(cè)部位局部破損
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A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
下列是晶體的是（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）