A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
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A.1萬(wàn)塊
B.1.5萬(wàn)塊
C.2萬(wàn)塊
D.2.5萬(wàn)塊
A.開(kāi)槽釋放應(yīng)力
B.砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線(xiàn)
C.彈性模量
D.回彈模量
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測(cè)區(qū)隨機(jī)布置的,n個(gè)測(cè)點(diǎn),在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測(cè)點(diǎn)(試件)
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6~10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn):門(mén)、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體;獨(dú)立磚柱和窗間墻
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
在光線(xiàn)作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();