單項選擇題磚砌體基礎、墻、柱頂面標高允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題原位單磚雙剪法在測區(qū)內選擇測點，以下規(guī)定哪個符合（）。
A.同一墻體的各測點之間，水平方向凈距不應小于0.62m，垂直方向凈距不應小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機布置的，n個測點，在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點（試件）
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為6～10mm
D.下列部位不應布設測點：門、窗洞口側邊120mm范圍內，后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體；獨立磚柱和窗間墻
2.單項選擇題磚砌體組砌方法應正確，內外搭砌，上下錯縫?；焖畨χ胁坏糜虚L度大于300mm的通縫，長度200-300mm的通縫每間不超過（）處，且不得位于同一面墻體上。
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
3.單項選擇題在抗震設防烈度為8度及8度以上地區(qū)，對不能同時砌筑而又必須六只的臨時間斷處應砌成斜槎，普通磚砌體斜槎水平投影長度不應小于高度的（）。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
4.單項選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家，燒結普通磚、混凝土實心磚沒（）為一檢驗批，不足數(shù)量時按1批計，抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
5.單項選擇題夾心復合墻的砌筑，拉結件設置應符合設計要求，拉結件在葉墻上的擱置長度不應小于葉墻厚度的2/3，并不應小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
最新試題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題