單項選擇題填充墻砌體砌筑，應待承重主體結構檢驗批驗收合格后進行。填充墻與承重主體結構間的空隙部位施工，應在填充墻砌筑（）后進行。
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
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1.單項選擇題配筋砌體工程中網狀配筋砌體的受力鋼筋保護層厚度允許偏差為（）。
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
2.單項選擇題配筋砌體中受力鋼筋的連接方式及錨固長度、搭接長度應符合設計要求。每檢驗批抽查不應少于（）處。
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
3.單項選擇題配筋砌體工程中構造柱與墻體的連接，墻體應砌成馬牙槎，馬牙槎凹凸尺寸不宜小于60mm，高度不應超過（）。
A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm
4.單項選擇題構造柱、芯柱、組合砌體構件、配筋砌體剪力墻構件的混凝土及砂漿的強度等級應符合設計要求，每個檢驗批砌體，試塊不應少于1組，驗收批砌體試塊不得少于（）。
A.1組
B.2組
C.3組
D.4組
5.單項選擇題毛石墻和磚墻相接的轉角處和交接處應同時砌筑。轉角處、交接處應自縱墻每個4-6皮磚高度引出不小于（）與橫墻相接。
A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
最新試題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題