單項選擇題配筋砌體中受力鋼筋的連接方式及錨固長度、搭接長度應符合設計要求。每檢驗批抽查不應少于（）處。
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
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1.單項選擇題配筋砌體工程中構(gòu)造柱與墻體的連接，墻體應砌成馬牙槎，馬牙槎凹凸尺寸不宜小于60mm，高度不應超過（）。
A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm
2.單項選擇題構(gòu)造柱、芯柱、組合砌體構(gòu)件、配筋砌體剪力墻構(gòu)件的混凝土及砂漿的強度等級應符合設計要求，每個檢驗批砌體，試塊不應少于1組，驗收批砌體試塊不得少于（）。
A.1組
B.2組
C.3組
D.4組
3.單項選擇題毛石墻和磚墻相接的轉(zhuǎn)角處和交接處應同時砌筑。轉(zhuǎn)角處、交接處應自縱墻每個4-6皮磚高度引出不小于（）與橫墻相接。
A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
4.單項選擇題混凝土小型空心砌塊砌體工程中，每一生產(chǎn)廠家，每（）小切塊為一驗收批，不足數(shù)量時按一批計，抽檢數(shù)量為1組。
A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊
5.單項選擇題扁頂法除了可直接測量砌體強度外，當在被試砌體部位布置應變測點進行應變量測時，不可測量（）。
A.開槽釋放應力
B.砌體的應力一應變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題