多項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測中，下列哪些方法能檢測砌體抗壓強度（）。
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題砌體開裂的主要原因（）。
A、基礎不均勻沉降
B、溫度應力
C、荷載過小
D、砌體質量問題
2.多項選擇題原位軸壓法檢測試驗過程中，上部墻體的壓應力的取用方法（）。
A、一般情況下，用理論方法計算，即計算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標準值
B、樓層上的可變荷載標準值可根據(jù)實際情況確定，然后換算為壓應力值
C、對于重要的鑒定性試驗，宜采用實測壓應力值
D、對于重要的鑒定性試驗，宜采用實測破壞荷載值
3.多項選擇題原位軸壓法檢測試驗過程中，根據(jù)槽間砌體初裂和破壞時的油壓表讀數(shù)，分別減去油壓表的初始讀數(shù)，按原位壓力機的校準結果，計算槽間砌體的（）。
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
4.多項選擇題原位軸壓法檢測試驗過程中，試驗不應僅僅獲取數(shù)據(jù)，還要（）等破壞形式。
A、觀測破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測點位置
D、偏心
5.多項選擇題原位壓力機由（）等組成。
A、手動油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題