A、一般情況下，用理論方法計(jì)算，即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定，然后換算為壓應(yīng)力值
C、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn)，宜采用實(shí)測壓應(yīng)力值
D、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn)，宜采用實(shí)測破壞荷載值
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A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測點(diǎn)位置
D、偏心
A、手動(dòng)油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
A、保證有足夠的約束墻體
B、防止出現(xiàn)破壞
C、影響測試結(jié)果
D、保證方便
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
下列是晶體的是（）。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。