A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
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A、一般情況下,用理論方法計(jì)算,即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)壓應(yīng)力值
D、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測(cè)破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測(cè)點(diǎn)位置
D、偏心
A、手動(dòng)油泵
B、扁式千斤頂
C、百分表
D、反力平衡架
A、挑梁下
B、應(yīng)力集中部位
C、墻梁的墻體計(jì)算高度范圍內(nèi)
D、哪里都可以
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。