A、施工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗(yàn)制度
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A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m。
B、同一墻體上測點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè),測點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測或砌體抗剪強(qiáng)度檢測一同使用。
A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
A、塊材強(qiáng)度
B、砂漿強(qiáng)度
C、抹灰強(qiáng)度
D、砌體強(qiáng)度
A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點(diǎn)荷法和射釘法(貫入法)
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。