A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
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A、塊材強(qiáng)度
B、砂漿強(qiáng)度
C、抹灰強(qiáng)度
D、砌體強(qiáng)度
A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點(diǎn)荷法和射釘法(貫入法)
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
A、一般情況下,用理論方法計(jì)算,即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測壓應(yīng)力值
D、對于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測破壞荷載值
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
硅片拋光在原理上不可分為()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列哪個不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()