多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)（）過程中，出現(xiàn)異常情況或測(cè)試數(shù)據(jù)不足時(shí)，應(yīng)及時(shí)補(bǔ)充測(cè)試。

A.計(jì)算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計(jì)數(shù)


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1.多項(xiàng)選擇題砌體工程（）環(huán)境溫度和試件溫度均應(yīng)高于0℃。

A.現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
B.委托檢測(cè)
C.見證檢測(cè)
D.抽樣檢測(cè)

2.多項(xiàng)選擇題砌體工程檢測(cè)在測(cè)點(diǎn)上開鑿水平槽孔時(shí)，應(yīng)符合下列要求（）。

A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對(duì)齊，普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí)，在避免擾動(dòng)四周的砌體；槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚

3.多項(xiàng)選擇題某萬能液壓試驗(yàn)設(shè)備的量程為600KN，可用該設(shè)備進(jìn)行下列試驗(yàn)（）。

A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br /> D、M15水泥砂漿試塊試壓

4.多項(xiàng)選擇題多層砌體結(jié)構(gòu)房屋的層高不應(yīng)超過（）。

A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m

5.多項(xiàng)選擇題原位單磚雙剪法不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn)的部位為（）。

A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C、獨(dú)立磚間墻
D、磚墻上

最新試題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

題型：單項(xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型：單項(xiàng)選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：單項(xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：單項(xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

題型：單項(xiàng)選擇題