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A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
A.標準
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）