填空題某測點(diǎn)間砌體抗壓強(qiáng)度等于該測點(diǎn)槽間砌體()與該測點(diǎn)槽間砌體()比值。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
4.多項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法,可按測試內(nèi)容分為下列幾類()。
A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強(qiáng)度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強(qiáng)度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強(qiáng)度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
5.多項選擇題原位軸壓法適用于推定240mm厚()的抗壓強(qiáng)度。
A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題