填空題砌筑砂漿使用的水泥應(yīng)對其（）、（）進行復(fù)驗。
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只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
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硅片拋光在原理上不可分為（）
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表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
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載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題