填空題純金屬的冷卻曲線是用測溫法測定的。冷卻曲線的縱坐標表示（），橫坐標表示（）
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
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只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
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一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
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表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題