填空題純金屬中常見的點缺陷有（）和（）。
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
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可用作硅片的研磨材料是（）
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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
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載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
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下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題