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多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

PN結的基本特性是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。