單項選擇題材料開發(fā)的歷史是結(jié)構(gòu)材料——功能材料——（）
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料
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1.單項選擇題（）是指對環(huán)境具有可感知，可自應(yīng)并具有功能發(fā)現(xiàn)能力的新材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
2.單項選擇題水熱法是（）反應(yīng)，反映在高溫高壓下，以水為介質(zhì)進行的化學(xué)反應(yīng)。
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
3.單項選擇題（）用于成型大型的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的薄壁制品。
A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
4.單項選擇題（）階段水解反應(yīng)很慢，又稱靜止期或潛伏期。一般維持2~4小時，是硅酸鹽水泥能在幾小時內(nèi)保持塑性的原因。
A、誘導(dǎo)期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
5.單項選擇題影響玻璃折射率的因素主要有三個，但不包括（）。
A、色散
B、玻璃的組成
C、溫度的影響
D、波長的影響
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題