A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設(shè)計(jì)性
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A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
A、誘導(dǎo)期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）