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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。