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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

可用作硅片的研磨材料是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

硅片拋光在原理上不可分為（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）