單項選擇題矩形晶片的聲束指向角公式為（）。
A、θ＝57λ/D
B、θ＝57λ/b
C、θ＝57λ/a
D、B和C都對
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1.單項選擇題聲束集中向一個方向輻射的性質(zhì)叫做聲束的（）。
A、指向性
B、近場區(qū)
C、振速
D、入射
2.單項選擇題某些單晶體或多晶體陶瓷材料，在應力作用下產(chǎn)生應變時引起晶體電荷的不對稱分配，異種電荷向正反兩面集中，材料的晶體就產(chǎn)生電場和極化,這種現(xiàn)象稱為（）。
A、正壓電效應
B、逆壓電效應
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
3.單項選擇題Z1≠Z2≠Z3時，要使Z3有較高的透聲效果，Z3厚度應為（）。
A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
4.單項選擇題公式（）為聲壓透射率的公式。
A、tp=1＋rp
B、R=rp2
C、D=1－rp2
D、以上都不對
5.單項選擇題垂直入射時，若Z1＞Z2（即鋼材水浸探傷時工件底面的鋼/水界面），則鋼/水界面上聲壓透射率為（）。
A、（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）
B、2Z2/（Z1＋Z2）
C、4Z1×Z2/（Z1＋Z2）2
D、[（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）]2
最新試題
當波束不再與缺陷相遇，則回波（）
題型：單項選擇題
直接射向缺陷的波就是（）
題型：單項選擇題
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導率、磁導率、邊條效應、提離效應等。
題型：單項選擇題
各類渦流檢測儀器的（）和結構各不相同。
題型：單項選擇題
隨著渦流檢側儀器制造技術的發(fā)展，出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導率測量（）測量功能的通用型儀器。
題型：單項選擇題
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
題型：單項選擇題
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
題型：單項選擇題
對于長條形試件，則常沿（）作平行縱軸的直線式掃查。
題型：單項選擇題
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置在（）材生產(chǎn)線上的應用最為廣泛。
題型：單項選擇題
根據(jù)檢測對象和目的的不同，渦流檢測儀器一般可分為（）、渦流電導儀和渦流測厚儀三種。
題型：單項選擇題