A、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)
B、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
C、加料—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
D、加料—→放肩生長(zhǎng)—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
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A.調(diào)整晶體生長(zhǎng)的熱系統(tǒng),使熱場(chǎng)的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運(yùn)行參數(shù),例如對(duì)于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值
A.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B.單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測(cè)→打包
D.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
硅片拋光在原理上不可分為()