單項(xiàng)選擇題TOFD技術(shù)測(cè)量埋藏缺陷長(zhǎng)度的精度（）

A.隨著缺陷埋藏深度的增加而降低
B.隨著探頭中心間距增大而降低
C.隨著脈沖寬度的增大而降低
D.以上都對(duì)


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1.單項(xiàng)選擇題TOFD對(duì)埋藏缺陷的分辨力（）

A.隨著深度的增加而提高
B.隨著探頭中心間距減小而提高
C.隨著脈沖寬度的減小而提高
D.以上都對(duì)

2.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于耦合劑厚度變化對(duì)缺陷深度測(cè)量誤差影響的敘述，正確的是（）

A.為減小測(cè)量缺陷信號(hào)與測(cè)量誤差，必須仔細(xì)測(cè)量出所使用的耦合劑厚度
B.如果測(cè)量缺陷信號(hào)與直通波到達(dá)時(shí)間之差，則耦合劑引起的缺陷深度測(cè)量誤差很小
C.如果測(cè)量缺陷信號(hào)到達(dá)的絕對(duì)時(shí)間，則耦合劑引起的測(cè)量誤差很小
D.以上敘述都是錯(cuò)誤的

3.單項(xiàng)選擇題校準(zhǔn)探頭間距的有效方法是（）

A.用高精度的長(zhǎng)度尺反復(fù)測(cè)量
B.用專用的激光測(cè)距儀反復(fù)測(cè)量
C.測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)試塊上不同深度反射體的信號(hào)到達(dá)時(shí)間
D.測(cè)量直通波或者底面波信號(hào)尖端信號(hào)到達(dá)的時(shí)間

4.單項(xiàng)選擇題探頭中心距的誤差（）

A.對(duì)缺陷深度測(cè)量精度影響很大
B.對(duì)缺陷高度測(cè)量精度影響很大
C.對(duì)缺陷長(zhǎng)度測(cè)量精度影響很大
D.對(duì)缺陷偏離軸線位置的測(cè)量精度影響很大

5.單項(xiàng)選擇題深度分辨力與以下哪一因素?zé)o關(guān)（）

A.缺陷深度
B.信號(hào)脈沖的長(zhǎng)度
C.探頭中心間距
D.晶片尺寸