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下列是晶體的是（）。 

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）