A.顯著下降至少20dB
B.顯著下降至少12dB
C.顯著下降至少6dB
D.不明顯下降大約1dB
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A.只有埋藏缺陷
B.只有表面開口缺陷
C.各種缺陷,幾乎與指向性無關(guān)
D.只有面積性缺陷
A.可行性更高
B.定量精度更高
C.檢測(cè)效率更高
D.缺陷定性更準(zhǔn)確
A.缺陷與標(biāo)準(zhǔn)反射體的形狀和表面粗糙度不同
B.工件與標(biāo)準(zhǔn)試塊的表面粗糙度不同,操作時(shí)對(duì)探頭的壓緊力改變
C.缺陷的傾斜角度
D.以不均不會(huì)
A.采用較小的PCS和較窄的波束寬度
B.采用較小的PCS和低的頻率
C.采用較大的PCS和較窄的波束寬度
D.采用較大的PCS和較高的頻率
A.缺陷的長度
B.缺陷的高度
C.缺陷距焊縫中線的距離
D.缺陷的傾斜角度
最新試題
探頭的分辨力()
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響()
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()
若評(píng)片燈亮度增為原來的兩倍,則底片透光度(It/I0)變?yōu)樵瓉淼模ǎ?/p>
康普頓效應(yīng)對(duì)射線檢測(cè)的影響包括()
在筒身外壁做曲面周向探傷時(shí)(r、R為簡體的內(nèi)、外徑),斜探頭(β為折射角)的臨界角應(yīng)滿足()
某超聲波探頭,壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm,則該探頭工作頻率為()
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()
底片的最佳黑度值與觀片燈的亮度有關(guān),觀片燈亮度改變,最佳黑度值也將改變。