單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長度減去（），但規(guī)格長度為190mm的磚，其跨距為（）。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的磚樣應進行處理，處理方式為將非燒結磚放入（）的水中浸泡（）后取出，用濕布拭去其表面水分，再進行抗折試驗。
A、（20±5）℃48h
B、（20±5）℃24h
C、（20±10）℃48h
D、（20±10）℃24h
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為（），下支輥應有一個為鉸接固定。
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的材料試驗機預期最大破壞荷載應在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的材料試驗機示值相對誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中裂紋長度以在三個方向上分別測得的（）作為測量結果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題