A、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
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最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
可用作硅片的研磨材料是（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
下列是晶體的是（）。