A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對
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A、出廠含水率與吸水率之比
B、含水率與吸水率之比
C、高溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
D、低溫狀態(tài)下含水率與吸水率之比
A、15%
B、18%
C、20%
D、25%
A、4.75mm
B、9.5mm
C、16mm
D、20mm
A、390mm×190mm×190mm
B、240mm×190mm×190mm
C、240mm×190mm×90mm
D、390mm×190mm×90mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚和多孔砌塊
C、普通混凝土小型空心砌塊
D、輕集料混凝土小型空心砌塊
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
PN結(jié)的基本特性是（）