單項(xiàng)選擇題錨具內(nèi)縮值試驗(yàn)需要的構(gòu)件或孔道長度應(yīng)為()
A、2~3米
B、2~5米
C、3~6米
D、5~10米
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1.單項(xiàng)選擇題限位板主要限制的是哪個(gè)部件的位移()
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
2.單項(xiàng)選擇題洛氏硬度測量時(shí)取點(diǎn)個(gè)數(shù)為()
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
3.單項(xiàng)選擇題對(duì)壓花錨的檢測數(shù)量要求是()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
4.單項(xiàng)選擇題錨具規(guī)范中對(duì)鋼絲鐓頭的強(qiáng)度檢測數(shù)量要求是()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
5.單項(xiàng)選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為()
A、每批檢查3%,不少于5件
B、每工作班檢查5%,不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題