A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
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A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強度
B、抗折強度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗方法
C、統(tǒng)一砼力學性能試驗方法
D、提高砼試驗精度和試驗水平
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細骨料修正系數(shù)（0.16mm以下粉料修正）測定
最新試題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。