A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
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A、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,此次試驗的結果無效。
B、把3個試件測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的15%時,此次試驗的結果無效。
D、3個彈性模量試驗試件中,僅有1個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,則按另2個試件的彈性模量測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值。
最新試題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
PN結的基本特性是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
改良西門子法的顯著特點不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法